Биполярный транзистор 3DG718A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG718A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3
Корпус транзистора: TO18
3DG718A Datasheet (PDF)
..1. Size:110K china
3dg718a.pdf
3dg718a.pdf
3DG718A(2N718A) NPN PCM TA=25 0.5 W ICM 600 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 75 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 32 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.01 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A VBEsat 1.5 IC=0.1A V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050