3DG82 - описание и поиск аналогов

 

3DG82. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG82

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3DG82

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG82 даташит

 ..1. Size:119K  china
 3dg82.pdf pdf_icon

3DG82

3DG82 NPN A B C PCM 500 mW ICM 100 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 30 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 20 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 1.0 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=1.5V 0.5 A VBEsat 1

Другие транзисторы... 3DG720 , 3DG752TM , 3DG8 , 3DG8050 , 3DG8050A , 3DG8050M , 3DG8051 , 3DG817 , A1015 , 3DG847B , 3DG9013 , 3DG9014 , 3DG930 , 3DG945 , 3DG945M , 3DK001 , 3DK002 .

History: 3DG6520 | BC558B | BC557C

 

 

 


 
↑ Back to Top
.