Справочник транзисторов. 3DG9014

 

Биполярный транзистор 3DG9014 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG9014
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG9014

 

 

3DG9014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  lzg
3dg9014.pdf

3DG9014
3DG9014

S9014(3DG9014) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Low frequency, low noise amplifier. :P ,h , S9015(3CG9015) C FEFeatures: High P and h excellent h linearity, complementary pair with S9015(3CG9015). C FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 8.1. Size:563K  jilin sino
3dg9013.pdf

3DG9014
3DG9014

NPN NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R3DG9013 MAIN CHARACTERISTICS Package I 500mA CV 20V CEOP 625mW C APPLICATIONS High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit TO-92

 8.2. Size:222K  foshan
3dg9013.pdf

3DG9014
3DG9014

9013(3DG9013) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. :P I , h , 9012(3CG9012) C C FEFeatures: High P and I , excellent h linearity, complementary pair with 9012(3CG9012). C C FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top