3DG9014 - описание и поиск аналогов

 

3DG9014. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG9014

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG9014

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG9014 даташит

 ..1. Size:245K  lzg
3dg9014.pdfpdf_icon

3DG9014

 8.1. Size:563K  jilin sino
3dg9013.pdfpdf_icon

3DG9014

 8.2. Size:222K  foshan
3dg9013.pdfpdf_icon

3DG9014

Другие транзисторы: 3DG8050, 3DG8050A, 3DG8050M, 3DG8051, 3DG817, 3DG82, 3DG847B, 3DG9013, TIP3055, 3DG930, 3DG945, 3DG945M, 3DK001, 3DK002, 3DK010, 3DK023F, 3DK024E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.