3DG9014. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3DG9014
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 3DG9014
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DG9014 даташит
Другие транзисторы: 3DG8050, 3DG8050A, 3DG8050M, 3DG8051, 3DG817, 3DG82, 3DG847B, 3DG9013, TIP3055, 3DG930, 3DG945, 3DG945M, 3DK001, 3DK002, 3DK010, 3DK023F, 3DK024E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet



