Справочник транзисторов. 3DG9014

 

Биполярный транзистор 3DG9014 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG9014
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 3DG9014

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG9014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  lzg
 3dg9014.pdf pdf_icon

3DG9014

S9014(3DG9014) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Low frequency, low noise amplifier. :P ,h , S9015(3CG9015) C FEFeatures: High P and h excellent h linearity, complementary pair with S9015(3CG9015). C FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 8.1. Size:563K  jilin sino
 3dg9013.pdf pdf_icon

3DG9014

NPN NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R3DG9013 MAIN CHARACTERISTICS Package I 500mA CV 20V CEOP 625mW C APPLICATIONS High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit TO-92

 8.2. Size:222K  foshan
 3dg9013.pdf pdf_icon

3DG9014

9013(3DG9013) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. :P I , h , 9012(3CG9012) C C FEFeatures: High P and I , excellent h linearity, complementary pair with 9012(3CG9012). C C FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

Другие транзисторы... 3DG8050 , 3DG8050A , 3DG8050M , 3DG8051 , 3DG817 , 3DG82 , 3DG847B , 3DG9013 , 13009 , 3DG930 , 3DG945 , 3DG945M , 3DK001 , 3DK002 , 3DK010 , 3DK023F , 3DK024E .

History: 2SC784R | NS3762 | MJE5171 | 3DK023F | K2104B | 2SB363 | 2SC2288M

 

 
Back to Top

 


 
.