Биполярный транзистор 3DG945 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG945
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: TO92
3DG945 Datasheet (PDF)
3dg945.pdf
2SC945(3DG945) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: AF amplifier and low speed switching applications. :, h /Features: High voltage, excellent h linearity. FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V E
3dg945m.pdf
2SC945M(3DG945M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: General power amplifier application and low speed switching. :,/Features: High voltage, excellent h linearity. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ