3DK32 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DK32  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DK32

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DK32 даташит

 ..1. Size:157K  china
 3dk32.pdf pdf_icon

3DK32

3DK32 NPN A B C D E PCM TC=25 75 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=5mA 60 80 110 150 180 V V(BR)CEO ICE=5mA 40 60 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=1mA 4.0 V ICEO VCE=20V 1.0 mA IC=5A VCEsat 0.5 V IB=1.2A VCE=5V

Другие транзисторы: 3DK2, 3DK209, 3DK21, 3DK2222, 3DK28, 3DK29, 3DK29-II, 3DK3039, 2SD2499, 3DK3767, 3DK3879, 3DK3B, 3DK4, 3DK402, 3DK405, 3DK40B, 3DK50