3DK3879 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DK3879  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO66

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DK3879

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DK3879 даташит

 ..1. Size:149K  china
 3dk3879.pdf pdf_icon

3DK3879

3DK3879 NPN PCM TC=25 35 W ICM 7 A Tjm 175 Tstg -55 150 Rth 4.28 /W V(BR)CBO ICB=10mA 120 V V(BR)CEO ICE=10mA 75 V V(BR)EBO IEB=10mA 7 V ICBO VCB=120V 25 mA ICEO VCE=75V 4 mA IEBO VEB=7V 10 mA VBEsat 2.0 IC=4A V IB=0.4A

Другие транзисторы: 3DK21, 3DK2222, 3DK28, 3DK29, 3DK29-II, 3DK3039, 3DK32, 3DK3767, SS8050, 3DK3B, 3DK4, 3DK402, 3DK405, 3DK40B, 3DK50, 3DK5886, 3DK5E