Биполярный транзистор 3DK402 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DK402
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257
3DK402 Datasheet (PDF)
3dk402.pdf
3DK402 NPN A B C D E PCM TC=25 50 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V RthJC 3 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=1mA 150 220 250 300 350 V V(BR)CEO ICE=1mA 150 220 250 300 350 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.5 mA ICEO
3dk40b.pdf
3DK40B NPN PCM TC=25 225 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55~175 V(BR)CBO ICB=2mA 50 V V(BR)CEO ICE=2mA 50 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=50V 1.5 mA VBEsat 1.5 IC=10A V IB=1A VCEsat 0.8 VCE=3V hFE 20 IC=10A tr 0.9
3dk405.pdf
3DK405 NPN A B C D E F G PCM TC=25 200 W ICM 30 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 0.75 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=1mA 100 150 200 250 300 350 400 V V(BR)CEO ICE=1mA 100 150 200 250 300 350 400 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
