PH1090-175L - описание и поиск аналогов

 

PH1090-175L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH1090-175L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1090 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8.3

Корпус транзистора: CERAMIC

 Аналоги (замена) для PH1090-175L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PH1090-175L даташит

 ..1. Size:138K  macom
ph1090-175l.pdfpdf_icon

PH1090-175L

PH1090-175L Avionics Pulsed Power Transistor Released, 30 May 07 175W, 1090 MHz, 250 s Pulse, 10% Duty Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Internal input and ou

 6.1. Size:145K  macom
ph1090-15l.pdfpdf_icon

PH1090-175L

PH1090-15L Avionics Pulsed Power Transistor Released, 30 May 07 15W, 1030-1090 MHz, 250 s Pulse, 10% Duty Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Internal input and

 7.1. Size:193K  macom
ph1090-700b.pdfpdf_icon

PH1090-175L

PH1090-700B Avionics Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 700W, 1030-1090 MHz, 32 s Pulse, 2% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system I

 7.2. Size:142K  macom
ph1090-55s.pdfpdf_icon

PH1090-175L

PH1090-550S Avionics Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 550W, 1090 MHz, 10 s Pulse, 1% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

Другие транзисторы: 3N772GP, 3N882GP, 3RA2114, 3SC2655, 3STF1640, 3STL2540, PH0814-40, PH1090-15L, BC556, PH1090-350L, PH1090-55S, PH1090-700B, PH1090-75L, PH1113-100, PH1214-0.85L, PH1214-100EL, PH1214-110M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.