PH1090-175L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PH1090-175L
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1090 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8.3
Корпус транзистора: CERAMIC
Аналоги (замена) для PH1090-175L
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PH1090-175L даташит
ph1090-175l.pdf
PH1090-175L Avionics Pulsed Power Transistor Released, 30 May 07 175W, 1090 MHz, 250 s Pulse, 10% Duty Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Internal input and ou
ph1090-15l.pdf
PH1090-15L Avionics Pulsed Power Transistor Released, 30 May 07 15W, 1030-1090 MHz, 250 s Pulse, 10% Duty Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Internal input and
ph1090-700b.pdf
PH1090-700B Avionics Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 700W, 1030-1090 MHz, 32 s Pulse, 2% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system I
ph1090-55s.pdf
PH1090-550S Avionics Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 550W, 1090 MHz, 10 s Pulse, 1% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern
Другие транзисторы: 3N772GP, 3N882GP, 3RA2114, 3SC2655, 3STF1640, 3STL2540, PH0814-40, PH1090-15L, BC556, PH1090-350L, PH1090-55S, PH1090-700B, PH1090-75L, PH1113-100, PH1214-0.85L, PH1214-100EL, PH1214-110M
History: DTA123EM | KT6114B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210






