Справочник транзисторов. PH1214-220M

 

Биполярный транзистор PH1214-220M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PH1214-220M
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 700 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 21 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7.4
   Корпус транзистора: CERAMIC
 

 Аналог (замена) для PH1214-220M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PH1214-220M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  macom
ph1214-220m.pdfpdf_icon

PH1214-220M

PH1214-220M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 220W, 1.2-1.4 GHz, 150s Pulse, 10% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

 6.1. Size:133K  macom
ph1214-25m.pdfpdf_icon

PH1214-220M

PH1214-25M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 25W, 1.2-1.4 GHz, 150s Pulse, 10% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

 6.2. Size:137K  macom
ph1214-2m.pdfpdf_icon

PH1214-220M

PH1214-2M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 2W, 1.2-1.4 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Internal

 6.3. Size:126K  macom
ph1214-25l.pdfpdf_icon

PH1214-220M

PH1214-25L Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 25W, 1.2-1.4 GHz, 300s Pulse, 10% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BF458 | 2DI100D-050 | BC141-10

 

 
Back to Top

 


 
.