PH1214-25M - описание и поиск аналогов

 

PH1214-25M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH1214-25M

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 67 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 9.5

Корпус транзистора: CERAMIC

 Аналоги (замена) для PH1214-25M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PH1214-25M даташит

 ..1. Size:133K  macom
 ph1214-25m.pdf pdf_icon

PH1214-25M

PH1214-25M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 25W, 1.2-1.4 GHz, 150 s Pulse, 10% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

 5.1. Size:126K  macom
 ph1214-25l.pdf pdf_icon

PH1214-25M

PH1214-25L Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 25W, 1.2-1.4 GHz, 300 s Pulse, 10% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

 6.1. Size:143K  macom
 ph1214-220m.pdf pdf_icon

PH1214-25M

PH1214-220M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 220W, 1.2-1.4 GHz, 150 s Pulse, 10% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

 6.2. Size:137K  macom
 ph1214-2m.pdf pdf_icon

PH1214-25M

PH1214-2M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 2W, 1.2-1.4 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Internal

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PH1090-75L, PH1113-100, PH1214-0.85L, PH1214-100EL, PH1214-110M, PH1214-12M, PH1214-220M, PH1214-25L, MJE350, PH1214-2M, PH1214-300M, PH1214-30EL, PH1214-3L, PH1214-40M, PH1214-55EL, PH1214-6M, PH1214-80M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.