2N916A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N916A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N916A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N916A даташит

 9.1. Size:10K  semelab
 2n916dcsm.pdf pdf_icon

2N916A

2N916DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar NPN Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 25V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.1A C (0.05

 9.2. Size:10K  semelab
 2n916csm.pdf pdf_icon

2N916A

2N916CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar NPN Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 25V A = (0.04 0.004)

Другие транзисторы: 2N913, 2N914, 2N914-46, 2N914-51, 2N914A, 2N915, 2N915A, 2N916, C945, 2N916B, 2N917, 2N917-46, 2N917-51, 2N917A, 2N918, 2N918-46, 2N918-51