Биполярный транзистор PH2729-110M Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PH2729-110M
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 63 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2900 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6.8
Корпус транзистора: CERAMIC
Аналог (замена) для PH2729-110M
PH2729-110M Datasheet (PDF)
ph2729-110m.pdf

PH2729-110M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 110W, 2.7-2.9 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte
ph2729-130m.pdf

PH2729-130M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 130W, 2.7-2.9 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte
ph2729-25m.pdf

PH2729-25M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 25W, 2.7-2.9 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern
ph2729-8.5m.pdf

PH2729-8.5M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 8.5W, 2.7-2.9 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte
Другие транзисторы... PH1214-40M , PH1214-55EL , PH1214-6M , PH1214-80M , PH1617-2 , PH2226-110M , PH2226-50M , PH2323-3 , 2N5551 , PH2729-130M , PH2729-25M , PH2729-65M , PH2729-8.5M , PH2731-20M , PH2731-5M , PH2731-75L , PH2856-160 .
History: BC398 | MUN5136DW1T1G
History: BC398 | MUN5136DW1T1G



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810