Справочник транзисторов. PH2729-110M

 

Биполярный транзистор PH2729-110M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PH2729-110M
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 63 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2900 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6.8
   Корпус транзистора: CERAMIC
 

 Аналог (замена) для PH2729-110M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PH2729-110M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  macom
ph2729-110m.pdfpdf_icon

PH2729-110M

PH2729-110M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 110W, 2.7-2.9 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

 6.1. Size:102K  macom
ph2729-130m.pdfpdf_icon

PH2729-110M

PH2729-130M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 130W, 2.7-2.9 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

 7.1. Size:100K  macom
ph2729-25m.pdfpdf_icon

PH2729-110M

PH2729-25M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 25W, 2.7-2.9 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

 7.2. Size:102K  macom
ph2729-8.5m.pdfpdf_icon

PH2729-110M

PH2729-8.5M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 8.5W, 2.7-2.9 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

Другие транзисторы... PH1214-40M , PH1214-55EL , PH1214-6M , PH1214-80M , PH1617-2 , PH2226-110M , PH2226-50M , PH2323-3 , 2N5551 , PH2729-130M , PH2729-25M , PH2729-65M , PH2729-8.5M , PH2731-20M , PH2731-5M , PH2731-75L , PH2856-160 .

History: BC398 | MUN5136DW1T1G

 

 
Back to Top

 


 
.