Справочник транзисторов. PH2729-130M

 

Биполярный транзистор PH2729-130M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PH2729-130M
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 575 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 63 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2900 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: CERAMIC
 

 Аналог (замена) для PH2729-130M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PH2729-130M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  macom
 ph2729-130m.pdf pdf_icon

PH2729-130M

PH2729-130M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 130W, 2.7-2.9 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

 6.1. Size:103K  macom
 ph2729-110m.pdf pdf_icon

PH2729-130M

PH2729-110M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 110W, 2.7-2.9 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

 7.1. Size:100K  macom
 ph2729-25m.pdf pdf_icon

PH2729-130M

PH2729-25M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 25W, 2.7-2.9 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

 7.2. Size:102K  macom
 ph2729-8.5m.pdf pdf_icon

PH2729-130M

PH2729-8.5M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 8.5W, 2.7-2.9 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: SUR540EF | MJE5170 | TIP645 | ASZ10 | MJE5851G | BC135

 

 
Back to Top

 


 
.