PH2729-130M - описание и поиск аналогов

 

PH2729-130M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH2729-130M

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 575 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 63 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2900 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: CERAMIC

 Аналоги (замена) для PH2729-130M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PH2729-130M даташит

 ..1. Size:102K  macom
ph2729-130m.pdfpdf_icon

PH2729-130M

PH2729-130M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 130W, 2.7-2.9 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

 6.1. Size:103K  macom
ph2729-110m.pdfpdf_icon

PH2729-130M

PH2729-110M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 110W, 2.7-2.9 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

 7.1. Size:100K  macom
ph2729-25m.pdfpdf_icon

PH2729-130M

PH2729-25M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 25W, 2.7-2.9 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

 7.2. Size:102K  macom
ph2729-8.5m.pdfpdf_icon

PH2729-130M

PH2729-8.5M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 8.5W, 2.7-2.9 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte

Другие транзисторы: PH1214-55EL, PH1214-6M, PH1214-80M, PH1617-2, PH2226-110M, PH2226-50M, PH2323-3, PH2729-110M, 2N3904, PH2729-25M, PH2729-65M, PH2729-8.5M, PH2731-20M, PH2731-5M, PH2731-75L, PH2856-160, PH2931-20M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.