PH2729-130M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PH2729-130M
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 575 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 63 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2900 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7
Корпус транзистора: CERAMIC
Аналоги (замена) для PH2729-130M
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PH2729-130M даташит
ph2729-130m.pdf
PH2729-130M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 130W, 2.7-2.9 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte
ph2729-110m.pdf
PH2729-110M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 110W, 2.7-2.9 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte
ph2729-25m.pdf
PH2729-25M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 25W, 2.7-2.9 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern
ph2729-8.5m.pdf
PH2729-8.5M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 8.5W, 2.7-2.9 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Inte
Другие транзисторы: PH1214-55EL, PH1214-6M, PH1214-80M, PH1617-2, PH2226-110M, PH2226-50M, PH2323-3, PH2729-110M, 2N3904, PH2729-25M, PH2729-65M, PH2729-8.5M, PH2731-20M, PH2731-5M, PH2731-75L, PH2856-160, PH2931-20M
History: DWC317
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor





