Биполярный транзистор PH2731-75L - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PH2731-75L
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7.45
Корпус транзистора: CERAMIC
Аналоги (замена) для PH2731-75L
PH2731-75L Datasheet (PDF)
ph2731-75l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PH2731-75L Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 75W, 2.7-3.1 GHz, 300s Pulse, 10% Duty Released, 10 Aug 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern
ph2731-5m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PH2731-5M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 5W, 2.7-3.1 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Internal
ph2731-20m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PH2731-20M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 20W, 2.7-3.1 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 29 Jun 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .