Биполярный транзистор PH2931-20M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PH2931-20M
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 115 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.85 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8.2
Корпус транзистора: CERAMIC
Аналоги (замена) для PH2931-20M
PH2931-20M Datasheet (PDF)
ph2931-20m.pdf
PH2931-20M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 20W, 2.9-3.1 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 10 Aug 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050