Справочник транзисторов. PH3134-55L

 

Биполярный транзистор PH3134-55L Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PH3134-55L
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3400 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7.5
   Корпус транзистора: CERAMIC
 

 Аналог (замена) для PH3134-55L

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PH3134-55L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  macom
 ph3134-55l.pdf pdf_icon

PH3134-55L

PH3134-55L Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 55W, 3.1-3.4 GHz, 300s Pulse, 10% Duty Released, 10 Aug 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

 7.1. Size:94K  macom
 ph3134-30s.pdf pdf_icon

PH3134-55L

PH3134-30S Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 30W, 3.1-3.4 GHz, 1s Pulse, 10% Duty Released, 10 Jul 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Internal

 7.2. Size:95K  macom
 ph3134-65m.pdf pdf_icon

PH3134-55L

PH3134-65M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 65W, 3.1-3.4 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 10 Aug 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

 7.3. Size:102K  macom
 ph3134-25m.pdf pdf_icon

PH3134-55L

PH3134-25M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 25W, 3.1-3.4 GHz, 100s Pulse, 10% Duty Released, 10 Jul 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SA609 | GES2906R | KSE210 | 2SB1407 | 2SC1917 | NB212X

 

 
Back to Top

 


 
.