PHPT60415NY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHPT60415NY  📄📄 

Маркировка: 0415NAB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 105 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT669

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PHPT60415NY

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PHPT60415NY даташит

 ..1. Size:243K  nxp
 phpt60415ny.pdf pdf_icon

PHPT60415NY

PHPT60415NY 40 V, 15 A NPN high power bipolar transistor 27 May 2015 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT60415PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed C

 5.1. Size:243K  nxp
 phpt60415py.pdf pdf_icon

PHPT60415NY

PHPT60415PY 40 V, 15 A PNP high power bipolar transistor 27 May 2015 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT60415NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed C

 6.1. Size:233K  nxp
 phpt60410ny.pdf pdf_icon

PHPT60415NY

PHPT60410NY 40 V, 10 A NPN high power bipolar transistor 27 January 2015 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT60410PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print

 6.2. Size:245K  nxp
 phpt60410py.pdf pdf_icon

PHPT60415NY

PHPT60410PY 40 V, 10 A PNP high power bipolar transistor 21 January 2015 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT60410NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PH3135-25S, PH3135-5M, PH3135-65M, PH3135-90S, PHPT60406NY, PHPT60406PY, PHPT60410NY, PHPT60410PY, TIP31C, PHPT60415PY, PHPT60603NY, PHPT60603PY, PHPT60606NY, PHPT60606PY, PHPT60610NY, PHPT60610PY, PHPT61002NYC