PHPT60415NY - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

PHPT60415NY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHPT60415NY
   Маркировка: 0415NAB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 105 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT669

 Аналоги (замена) для PHPT60415NY

 

PHPT60415NY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  nxp
 phpt60415ny.pdf pdf_icon

PHPT60415NY

PHPT60415NY 40 V, 15 A NPN high power bipolar transistor 27 May 2015 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT60415PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed C

 5.1. Size:243K  nxp
 phpt60415py.pdf pdf_icon

PHPT60415NY

PHPT60415PY 40 V, 15 A PNP high power bipolar transistor 27 May 2015 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT60415NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed C

 6.1. Size:233K  nxp
 phpt60410ny.pdf pdf_icon

PHPT60415NY

PHPT60410NY 40 V, 10 A NPN high power bipolar transistor 27 January 2015 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT60410PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print

 6.2. Size:245K  nxp
 phpt60410py.pdf pdf_icon

PHPT60415NY

PHPT60410PY 40 V, 10 A PNP high power bipolar transistor 21 January 2015 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT60410NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PH3135-25S , PH3135-5M , PH3135-65M , PH3135-90S , PHPT60406NY , PHPT60406PY , PHPT60410NY , PHPT60410PY , TIP31C , PHPT60415PY , PHPT60603NY , PHPT60603PY , PHPT60606NY , PHPT60606PY , PHPT60610NY , PHPT60610PY , PHPT61002NYC .

History: UN9112 | 2SD1739 | KRA322 | 2SC4164M | 92PU01 | 2SD393 | BF841

 

 
Back to Top

 


 
.