Справочник транзисторов. PHPT60610NY

 

Биполярный транзистор PHPT60610NY Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PHPT60610NY
   Маркировка: 0610NAB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT669
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PHPT60610NY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  nxp
 phpt60610ny.pdf pdf_icon

PHPT60610NY

PHPT60610NY60 V, 10 A NPN high power bipolar transistor27 May 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-MountedDevice (SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT60610PY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed C

 5.1. Size:239K  nxp
 phpt60610py.pdf pdf_icon

PHPT60610NY

PHPT60610PY60 V, 10 A PNP high power bipolar transistor27 May 2015 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-MountedDevice (SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT60610NY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed C

 7.1. Size:305K  nxp
 phpt60603ny.pdf pdf_icon

PHPT60610NY

PHPT60603NY60V, 3 A NPN high power bipolar transistor10 January 2014 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT60603PY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed

 7.2. Size:230K  nxp
 phpt60606py.pdf pdf_icon

PHPT60610NY

PHPT60606PY60 V, 6 A PNP high power bipolar transistor9 December 2014 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT60606NY.2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: STW2040

 

 
Back to Top

 


 
.