Справочник транзисторов. PHPT60610NY

 

Биполярный транзистор PHPT60610NY Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PHPT60610NY
   Маркировка: 0610NAB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT669
 

 Аналог (замена) для PHPT60610NY

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PHPT60610NY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  nxp
phpt60610ny.pdfpdf_icon

PHPT60610NY

PHPT60610NY60 V, 10 A NPN high power bipolar transistor27 May 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-MountedDevice (SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT60610PY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed C

 5.1. Size:239K  nxp
phpt60610py.pdfpdf_icon

PHPT60610NY

PHPT60610PY60 V, 10 A PNP high power bipolar transistor27 May 2015 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-MountedDevice (SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT60610NY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed C

 7.1. Size:305K  nxp
phpt60603ny.pdfpdf_icon

PHPT60610NY

PHPT60603NY60V, 3 A NPN high power bipolar transistor10 January 2014 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT60603PY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed

 7.2. Size:230K  nxp
phpt60606py.pdfpdf_icon

PHPT60610NY

PHPT60606PY60 V, 6 A PNP high power bipolar transistor9 December 2014 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT60606NY.2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

Другие транзисторы... PHPT60410NY , PHPT60410PY , PHPT60415NY , PHPT60415PY , PHPT60603NY , PHPT60603PY , PHPT60606NY , PHPT60606PY , 2SC4793 , PHPT60610PY , PHPT61002NYC , PHPT61002PYC , PHPT610030NK , PHPT610030NPK , PHPT610030PK , PHPT610035NK , PHPT610035PK .

History: DTA144EKA | FK3503

 

 
Back to Top

 


 
.