PHPT610030PK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHPT610030PK  📄📄 

Маркировка: 10030PK

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: SOT1205

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PHPT610030PK

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PHPT610030PK даташит

 ..1. Size:239K  nxp
phpt610030pk.pdfpdf_icon

PHPT610030PK

PHPT610030PK PNP/PNP high power double bipolar transistor 22 October 2014 Product data sheet 1. General description PNP/PNP high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface- Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN/NPN complement PHPT610030NK. NPN/PNP complement PHPT610030NPK. 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suita

 4.1. Size:295K  nxp
phpt610030npk.pdfpdf_icon

PHPT610030PK

PHPT610030NPK NPN/PNP high power double bipolar transistor 14 October 2014 Product data sheet 1. General description NPN/PNP high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface- Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN/NPN complement PHPT610030NK. PNP/PNP complement PHPT610030PK. 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suita

 4.2. Size:241K  nxp
phpt610030nk.pdfpdf_icon

PHPT610030PK

PHPT610030NK NPN/NPN high power double bipolar transistor 20 October 2014 Product data sheet 1. General description NPN/NPN high power double bipolar transistor in a SOT1205 (LFPAK56D) Surface- Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP/PNP complement PHPT610030PK. NPN/PNP complement PHPT610030NPK. 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suita

 5.1. Size:287K  nxp
phpt61003py.pdfpdf_icon

PHPT610030PK

PHPT61003PY 100 V, 3A PNP high power bipolar transistor 13 January 2014 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT61003NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C R

Другие транзисторы: PHPT60606NY, PHPT60606PY, PHPT60610NY, PHPT60610PY, PHPT61002NYC, PHPT61002PYC, PHPT610030NK, PHPT610030NPK, 2SC1815, PHPT610035NK, PHPT610035PK, PHPT61003NY, PHPT61003PY, PHPT61006NY, PHPT61006PY, PHPT61010NY, PHPT61010PY