PHPT61006NY - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

PHPT61006NY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHPT61006NY
   Маркировка: 1006NAB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: SOT669

 Аналоги (замена) для PHPT61006NY

 

PHPT61006NY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  nxp
phpt61006ny.pdfpdf_icon

PHPT61006NY

PHPT61006NY 100 V, 6 A NPN high power bipolar transistor 26 January 2015 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT61006PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print

 5.1. Size:228K  nxp
phpt61006py.pdfpdf_icon

PHPT61006NY

PHPT61006PY 100 V, 6 A PNP high power bipolar transistor 21 January 2015 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT61006NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print

 6.1. Size:287K  nxp
phpt61003py.pdfpdf_icon

PHPT61006NY

PHPT61003PY 100 V, 3A PNP high power bipolar transistor 13 January 2014 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT61003NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C R

 6.2. Size:291K  nxp
phpt61003ny.pdfpdf_icon

PHPT61006NY

PHPT61003NY 100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor 3 February 2014 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT61003PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

Другие транзисторы... PHPT61002PYC , PHPT610030NK , PHPT610030NPK , PHPT610030PK , PHPT610035NK , PHPT610035PK , PHPT61003NY , PHPT61003PY , BC546 , PHPT61006PY , PHPT61010NY , PHPT61010PY , PIMC31 , PIMZ2 , PMA1302 , PMA1516 , PMB1370 .

History: BFX58D | T5610

 

 
Back to Top

 


 
.