PHPT61006PY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PHPT61006PY
Маркировка: 1006PAB
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 116 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 52 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: SOT669
Аналоги (замена) для PHPT61006PY
PHPT61006PY Datasheet (PDF)
phpt61006py.pdf
PHPT61006PY 100 V, 6 A PNP high power bipolar transistor 21 January 2015 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT61006NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print
phpt61006ny.pdf
PHPT61006NY 100 V, 6 A NPN high power bipolar transistor 26 January 2015 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT61006PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print
phpt61003py.pdf
PHPT61003PY 100 V, 3A PNP high power bipolar transistor 13 January 2014 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT61003NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C R
phpt61003ny.pdf
PHPT61003NY 100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor 3 February 2014 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT61003PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C
Другие транзисторы... PHPT610030NK , PHPT610030NPK , PHPT610030PK , PHPT610035NK , PHPT610035PK , PHPT61003NY , PHPT61003PY , PHPT61006NY , TIP35C , PHPT61010NY , PHPT61010PY , PIMC31 , PIMZ2 , PMA1302 , PMA1516 , PMB1370 , PMB1626 .
History: 2SD1769 | 2SD1739 | KRA322 | UN9112 | 2SD393 | NB211FJ | BF841
History: 2SD1769 | 2SD1739 | KRA322 | UN9112 | 2SD393 | NB211FJ | BF841
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet














