PHPT61006PY datasheet, аналоги, параметры транзистора

PHPT61006PY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHPT61006PY 📄📄

Маркировка: 1006PAB

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 116 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 52 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: SOT669

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для PHPT61006PY

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

PHPT61006PY даташит

..1. Size:228K nxp
phpt61006py.pdf pdf_icon

PHPT61006PY 100 V, 6 A PNP high power bipolar transistor 21 January 2015 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT61006NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print

5.1. Size:230K nxp
phpt61006ny.pdf pdf_icon

PHPT61006NY 100 V, 6 A NPN high power bipolar transistor 26 January 2015 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT61006PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print

6.1. Size:287K nxp
phpt61003py.pdf pdf_icon

PHPT61003PY 100 V, 3A PNP high power bipolar transistor 13 January 2014 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT61003NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C R

6.2. Size:291K nxp
phpt61003ny.pdf pdf_icon

PHPT61003NY 100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor 3 February 2014 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT61003PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C