2N917A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N917A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N917A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N917A даташит

 9.1. Size:135K  cdil
 2n917.pdf pdf_icon

2N917A

Continental Device India Limited An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N917 TO-72 Metal Can Package Amplifier Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCBO Collector Base Voltage 30 V VCEO Collector Emitter Voltage 15 V VEBO Emitter Base Voltage 3V IC Collector Current - Continuous 50 mA PD Power Dissipation @ TA=

Другие транзисторы: 2N915, 2N915A, 2N916, 2N916A, 2N916B, 2N917, 2N917-46, 2N917-51, BC337, 2N918, 2N918-46, 2N918-51, 2N918ACSM, 2N918AQF, 2N918CSM, 2N918UB, 2N919