PT236T30E2M - описание и поиск аналогов

 

PT236T30E2M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PT236T30E2M

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT23-6L

 Аналоги (замена) для PT236T30E2M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PT236T30E2M даташит

 ..1. Size:122K  prisemi
 pt236t30e2m.pdf pdf_icon

PT236T30E2M

PT236T30E2M Transistor Feature 6 1 This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. Very low collector to emitter saturation voltage 5 2 DC current gain >100 3A continuous collector current 4 PNP epitaxial planar silicon transistor 3 Mechanical Characteristics Lead finish 100% matte Sn(Tin) Mounting position Any Qualified

 4.1. Size:156K  prisemi
 pt236t30e2.pdf pdf_icon

PT236T30E2M

PT236T30E2 Transistor Feature 6 1 This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. Very low collector to emitter saturation voltage 5 2 DC current gain >100 3A continuous collector current 4 PNP epitaxial planar silicon transistor 3 Mechanical Characteristics Lead finish 100% matte Sn(Tin) Mounting position Any Qualified max reflow tem

 4.2. Size:123K  prisemi
 pt236t30e2h.pdf pdf_icon

PT236T30E2M

PT236T30E2H Transistor Feature 6 1 This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. Very low collector to emitter saturation voltage 5 2 DC current gain >100 3.5A continuous collector current 4 PNP epitaxial planar silicon transistor 3 Mechanical Characteristics Lead finish 100% matte Sn(Tin) Mounting position Any Qualifi

 9.1. Size:322K  central
 cmpt2369.pdf pdf_icon

PT236T30E2M

CMPT2369 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT2369 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for small signal general purpose and high speed switching applications. MARKING CODE C1J SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PNT723T503E0-2, PNTET50V01, PPT523T503E0-2, PPT89T30V5AE2M, PPT8N30E2, PQMD12, PT236T30E2, PT236T30E2H, D882, PT23T2222A, PT23T2907A, PT23T3904, PT23T3906, PT23T5401, PT23T5551, PT23T8050, PT23T8550

 

 

 

 

↑ Back to Top
.