PT23T5401. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PT23T5401
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для PT23T5401
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PT23T5401 даташит
pt23t5401.pdf
PT23T5401 Transistor Feature 3 - Collector 1 - Base PNP epitaxial planar silicon transistor 2 - Emitter Mechanical Characteristics Lead finish 100% matte Sn(Tin) Mounting position Any Qualified max reflow temperature 260 Device meets MSL 1 requirements Pure tin plating 7 17 um Pin flatness 3mil Absolute maximum rating@25 P
pt23t5551.pdf
PT23T5551 Transistor Feature 3 - Collector 1 - Base This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and Rohs compliant. 2 - Emitter Mechanical Characteristics Lead finish 100% matte Sn(Tin) Mounting position Any Qualified max reflow temperature 260 Device meets MSL 1 requirements Pure tin plating 7 17 um Pin flatness 3mil Structu
pt23t2907a.pdf
PT23T2907A Transistor Feature 3 - Collector 1 - Base PNP epitaxial planar silicon transistor 2 - Emitter Mechanical Characteristics Lead finish 100% matte Sn(Tin) Mounting position Any Qualified max reflow temperature 260 Device meets MSL 1 requirements Pure tin plating 7 17 um Pin flatness 3mil Absolute maximum rating@25
pt23t8550.pdf
PT23T8550 Transistor Feature 3 - Collector 1 - Base This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and Rohs compliant. 2 - Emitter Mechanical Characteristics Lead finish 100% matte Sn(Tin) Mounting position Any Qualified max reflow temperature 260 Device meets MSL 1 requirements Pure tin plating 7 17 um Pin flatness 3mil Structu
Другие транзисторы: PQMD12, PT236T30E2, PT236T30E2H, PT236T30E2M, PT23T2222A, PT23T2907A, PT23T3904, PT23T3906, A1941, PT23T5551, PT23T8050, PT23T8550, PT23T9013, PT23T9014, PT9730, PT9731, PT9732
History: 2N1783 | PT236T30E2H | 2SC463 | ECG52 | 2SD882I | 2N160A | BC288
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet