PT9790. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PT9790
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: CASE211-11
Аналоги (замена) для PT9790
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PT9790 даташит
pt9790.pdf
HG RF POWER TRANSISTOR PT9790 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Note Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change. Sep. 1998 www.HGSemi.com HG RF POWER TRANSISTOR PT9790 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Note Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change. Sep. 1998
Другие транзисторы: PT23T8050, PT23T8550, PT23T9013, PT23T9014, PT9730, PT9731, PT9732, PT9734, S8550, 2N1131L, 2N1132CSM, 2N1132DCSM, 2N1132L, 2N1714S, 2N1715S, 2N1716S, 2N1717S
History: EN3502 | BTN2369A3 | H772
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630

