Справочник транзисторов. 2N2604UB

 

Биполярный транзистор 2N2604UB Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N2604UB
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: UB
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N2604UB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  microsemi
2n2604ub.pdfpdf_icon

2N2604UB

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http: //www.microsemi.com PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/354 DEVICES LEVELS 2N2604 2N2604UB JAN 2N2605 2N2605UB JANTX JANTXV

 8.1. Size:54K  microsemi
2n2604 2n2605.pdfpdf_icon

2N2604UB

TECHNICAL DATA PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/354 Devices Qualified Level JAN, JANTX 2N2604 2N2605 JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol 2N2604 2N2605 Units Collector-Base Voltage 80 70 Vdc VCBO Collector-Emitter Voltage 60 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 Vdc VEBO Collector Current 30 mAdc IC Total Power Dissipation @ TA = +250

 9.1. Size:45K  microsemi
2n2608.pdfpdf_icon

2N2604UB

TECHNICAL DATA P-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/295 Devices Qualified Level 2N2608 JAN ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = +250C unless otherwise noted) A Parameters / Test Conditions Symbol Value Units Gate-Source Voltage V 30 V GSS(1)Power Dissipation T = +250C P 300 mW A D0Operating Junction & Storage Temperature Range Top, Tstg -65 to +200 C (1) Derate

 9.2. Size:45K  microsemi
2n2609.pdfpdf_icon

2N2604UB

TECHNICAL DATA P-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/296 Devices Qualified Level 2N2609 JAN ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = +250C unless otherwise noted) A Parameters / Test Conditions Symbol Value Units Gate-Source Voltage V 30 V GSS(1)Power Dissipation T = +250C P 300 mW A D0Operating Junction & Storage Temperature Range Top Tstg -65 to +200 C , (1) Dera

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BFS91A | TN3467 | FBP5096G3

 

 
Back to Top

 


 
.