Биполярный транзистор 2N3019DCSM Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N3019DCSM
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: LCC2
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2N3019DCSM Datasheet (PDF)
2n3019dcsm.pdf

NPN SILICON DUAL TRANSISTORS 2N3019DCSM High Voltage, High Current Dual Small Signal NPN Transistors. Hermetic Ceramic Surface Mount Package. Ideally Suited For General Purpose Amplifier and High Speed Switching Applications. Screening Options Available. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Each Side, TA = 25C unless otherwise stated) Each Side Total Device Each Side
2n3019 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N3019NPN medium power transistor1997 Jun 19Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N3019FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter
2n3019 .pdf

2N3019SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORDESCRIPTION The 2N3019 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case, designedfor high-current, high frequency amplifierapplication. It feature high gain and low saturationvoltage.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 140 VVCEO C
2n3019.pdf

2N3019SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORDESCRIPTION The 2N3019 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case, designedfor high-current, high frequency amplifierapplication. It feature high gain and low saturationvoltage.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 140 VVCEO C
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: TN5401 | HSBD139 | FJNS3211R | 2N3253S | 2N34 | BD355C | 2N743
History: TN5401 | HSBD139 | FJNS3211R | 2N3253S | 2N34 | BD355C | 2N743



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801