2N3209XCSM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3209XCSM

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: LCC1

 Аналоги (замена) для 2N3209XCSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3209XCSM даташит

 ..1. Size:25K  semelab
 2n3209xcsm.pdf pdf_icon

2N3209XCSM

2N3209XCSM MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) SWITCHING TRANSISTOR FOR HIGH RELIABILITY 0.51 0.10 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) APPLICATIONS 3 2 1 FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP 1.91 0.10 (0.075 0.004) A TRANSISTOR 0.31 rad. (0.012) 3.05 0.13 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT (0.12 0.005) 1.40 (0.055) PA

 7.1. Size:24K  semelab
 2n3209x.pdf pdf_icon

2N3209XCSM

2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209) TRANSISTOR 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI

 8.1. Size:113K  st
 2n2894 2n3209.pdf pdf_icon

2N3209XCSM

 9.1. Size:327K  general electric
 2n319 2n320 2n321.pdf pdf_icon

2N3209XCSM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3019DCSM, 2N3053SMD, 2N3053SMD05, 2N3055AG, 2N3055ESMD, 2N3055G, 2N3114CSM, 2N3209X, 13007, 2N3250AUB, 2N3251CSM, 2N3251DCSM, 2N3390A, 2N3420L, 2N3420SMD, 2N3420SMD05, 2N3421ASMD