2N4449UB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N4449UB  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: UB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N4449UB

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4449UB даташит

 ..1. Size:53K  microsemi
 2n4449ub.pdf pdf_icon

2N4449UB

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

 8.1. Size:66K  microsemi
 2n4449 2n2369a.pdf pdf_icon

2N4449UB

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

 9.1. Size:64K  njs
 2n4445 2n4446 2n4447 2n4448.pdf pdf_icon

2N4449UB

 9.2. Size:444K  microsemi
 2n4440.pdf pdf_icon

2N4449UB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N4209C1B, 2N4236X, 2N4261UBC, 2N4401G, 2N4401L, 2N4401SC, 2N4403G, 2N4403SC, A940, 2N4854U, 2N4897X, 2N4898X, 2N4899X, 2N4900X, 2N4901SMD, 2N4910XSMD, 2N4910XSMD05