Справочник транзисторов. 2N4449UB

 

Биполярный транзистор 2N4449UB Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N4449UB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: UB
 

 Аналог (замена) для 2N4449UB

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4449UB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  microsemi
 2n4449ub.pdf pdf_icon

2N4449UB

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

 8.1. Size:66K  microsemi
 2n4449 2n2369a.pdf pdf_icon

2N4449UB

TECHNICAL DATA NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 Devices Qualified Level 2N2369A 2N4449 JAN 2N2369AU 2N4449U JANTX 2N2369AUA 2N4449UA JANTXV 2N2369AUB 2N4449UB MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All UB All others Unit Collector-Emitter Voltage 20 15 Vdc VCEO Emitter-Base Voltage 6.0 4.5 Vdc VEBO Collector-Base Voltage 40 Vdc VCBO

 9.1. Size:64K  njs
 2n4445 2n4446 2n4447 2n4448.pdf pdf_icon

2N4449UB

 9.2. Size:444K  microsemi
 2n4440.pdf pdf_icon

2N4449UB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SD1392 | KC860W | AUY18-5 | CHFMG2GP | SZD1733 | RN2105

 

 
Back to Top

 


 
.