2N4918G - описание и поиск аналогов

 

2N4918G - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N4918G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO-225

 Аналоги (замена) для 2N4918G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4918G - технические параметры

 ..1. Size:117K  onsemi
2n4918g.pdfpdf_icon

2N4918G

2N4918 - 2N4920* Series Preferred Device Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors These medium-power, high-performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. http //onsemi.com Features Pb-Free Package is Available** 3.0 A, 40-80 V, 30 W Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A Excellent Power Dis

 8.1. Size:254K  motorola
2n4918 2n4919 2n4920.pdfpdf_icon

2N4918G

Order this document MOTOROLA by 2N4918/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N4918 Medium-Power Plastic PNP thru Silicon Transistors * 2N4920 . . . designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. These high performance plastic devices feature *Motorola Preferred Device Low Saturation Voltage VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp 3 AMPERE Excellent

 8.2. Size:63K  central
2n4918 2n4919 2n4920 2.pdfpdf_icon

2N4918G

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 8.3. Size:113K  onsemi
2n4918 2n4919 2n4920.pdfpdf_icon

2N4918G

ON Semiconductor) 2N4918 Medium-Power Plastic PNP thru Silicon Transistors * 2N4920 . . . designed for driver circuits, switching, and amplifier *ON Semiconductor Preferred Device applications. These high performance plastic devices feature 3 AMPERE Low Saturation Voltage GENERAL PURPOSE VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp POWER TRANSISTORS 40 80 VOLTS Exc

Другие транзисторы... 2N4898X , 2N4899X , 2N4900X , 2N4901SMD , 2N4910XSMD , 2N4910XSMD05 , 2N4911XSMD , 2N4911XSMD05 , 9014 , 2N4919G , 2N4920G , 2N4921G , 2N4922G , 2N4923G , 2N4928CSM , 2N4928DCSM , 2N4939DCSM .

History: MJE340K | RN1117FT

 

 
Back to Top

 


 
.