2N4919G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N4919G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO-225

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N4919G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4919G даташит

 ..1. Size:117K  onsemi
 2n4919g.pdf pdf_icon

2N4919G

2N4918 - 2N4920* Series Preferred Device Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors These medium-power, high-performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. http //onsemi.com Features Pb-Free Package is Available** 3.0 A, 40-80 V, 30 W Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A Excellent Power Dis

 8.1. Size:254K  motorola
 2n4918 2n4919 2n4920.pdf pdf_icon

2N4919G

Order this document MOTOROLA by 2N4918/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N4918 Medium-Power Plastic PNP thru Silicon Transistors * 2N4920 . . . designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. These high performance plastic devices feature *Motorola Preferred Device Low Saturation Voltage VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp 3 AMPERE Excellent

 8.2. Size:63K  central
 2n4918 2n4919 2n4920 2.pdf pdf_icon

2N4919G

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 8.3. Size:113K  onsemi
 2n4918 2n4919 2n4920.pdf pdf_icon

2N4919G

ON Semiconductor) 2N4918 Medium-Power Plastic PNP thru Silicon Transistors * 2N4920 . . . designed for driver circuits, switching, and amplifier *ON Semiconductor Preferred Device applications. These high performance plastic devices feature 3 AMPERE Low Saturation Voltage GENERAL PURPOSE VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp POWER TRANSISTORS 40 80 VOLTS Exc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N4899X, 2N4900X, 2N4901SMD, 2N4910XSMD, 2N4910XSMD05, 2N4911XSMD, 2N4911XSMD05, 2N4918G, BD135, 2N4920G, 2N4921G, 2N4922G, 2N4923G, 2N4928CSM, 2N4928DCSM, 2N4939DCSM, 2N5001SMD