2N5038G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N5038G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO-204AA
Аналоги (замена) для 2N5038G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N5038G даташит
2n5038g.pdf
2N5038 NPN Silicon Transistors Fast switching speeds and high current capacity ideally suit these parts for use in switching regulators, inverters, wide-band amplifiers and power oscillators in industrial and commercial applications. Features http //onsemi.com High Speed - tf = 0.5 ms (Max) High Current - IC(max) = 30 Amps 20 AMPERE Low Saturation - VCE(sat) = 2.5 V (Max)
2n5038 2n5039.pdf
Order this document MOTOROLA by 2N5038/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N5038 * 2N5039 NPN Silicon Transistors *Motorola Preferred Device . . . fast switching speeds and high current capacity ideally suit these parts for use in switching regulators, inverters, wide band amplifiers and power oscillators in 20 AMPERE industrial and commercial applications. NPN SILICON POWER TRANSIS
2n5038.pdf
2N5038 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The 2N5038 is a silicon planar multiepitaxial NPN transistors in Jedec TO-3 metal case. They are especially intended for high current and switching 1 applications. 2 TO-3 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collect
2n5038.pdf
2N5038 NPN Silicon Transistors Fast switching speeds and high current capacity ideally suit these parts for use in switching regulators, inverters, wide-band amplifiers and power oscillators in industrial and commercial applications. Features http //onsemi.com High Speed - tf = 0.5 ms (Max) High Current - IC(max) = 30 Amps 20 AMPERE Low Saturation - VCE(sat) = 2.5 V (Max)
Другие транзисторы: 2N5001SMD, 2N5010S, 2N5011S, 2N5012S, 2N5013S, 2N5014S, 2N5015SX, 2N5015X, TIP2955, 2N5052SMD, 2N5087G, 2N5087RLRAG, 2N5088G, 2N5089G, 2N5151-220M, 2N5151SMD05, 2N5151U3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440







