2N5195G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5195G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO-225AA

 Аналоги (замена) для 2N5195G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5195G даташит

 ..1. Size:136K  onsemi
 2n5194g 2n5195g.pdf pdf_icon

2N5195G

2N5194G, 2N5195G Silicon PNP Power Transistors These devices are designed for use in power amplifier and switching circuits; excellent safe area limits. Features http //onsemi.com Complement to NPN 2N5191, 2N5192 4 AMPERE These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant* POWER TRANSISTORS MAXIMUM RATINGS (Note 1) PNP SILICON Rating Symbol Value Unit 60 - 80 VOLTS Collecto

 ..2. Size:86K  onsemi
 2n5195g.pdf pdf_icon

2N5195G

2N5194, 2N5195 Preferred Devices Silicon PNP Power Transistors These devices are designed for use in power amplifier and switching circuits; excellent safe area limits. Complement to NPN 2N5191, 2N5192. http //onsemi.com Features Pb-Free Packages are Available* 4 AMPERE POWER TRANSISTORS MAXIMUM RATINGS (Note 1) PNP SILICON

 8.1. Size:212K  motorola
 2n5194 2n5195.pdf pdf_icon

2N5195G

Order this document MOTOROLA by 2N5194/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N5194 2N5195* Silicon PNP Power Transistors *Motorola Preferred Device . . . for use in power amplifier and switching circuits, excellent safe area limits. Complement to NPN 2N5191, 2N5192 4 AMPERE POWER TRANSISTORS

 8.2. Size:206K  st
 2n5195.pdf pdf_icon

2N5195G

2N5195 Low voltage PNP power transistor Features Low saturation voltage PNP transistor Application Audio, power linear and switching equipment 1 2 Description 3 SOT-32 The device is manufactured in planar technology with base island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The Figure 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5154XSMD05, 2N5154XX, 2N5157T1, 2N5157T3, 2N5190G, 2N5191G, 2N5192G, 2N5194G, 2N5401, 2N5237S, 2N5238S, 2N5302G, 2N5320X, 2N5338LCC4, 2N5339LCC4, 2N5339U3, 2N5401CSM