Справочник транзисторов. 2N5195G

 

Биполярный транзистор 2N5195G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5195G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO-225AA
 

 Аналог (замена) для 2N5195G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5195G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  onsemi
 2n5194g 2n5195g.pdf pdf_icon

2N5195G

2N5194G, 2N5195GSilicon PNP PowerTransistorsThese devices are designed for use in power amplifier and switchingcircuits; excellent safe area limits.Featureshttp://onsemi.com Complement to NPN 2N5191, 2N51924 AMPERE These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*POWER TRANSISTORSMAXIMUM RATINGS (Note 1)PNP SILICONRating Symbol Value Unit60 - 80 VOLTSCollecto

 ..2. Size:86K  onsemi
 2n5195g.pdf pdf_icon

2N5195G

2N5194, 2N5195Preferred DevicesSilicon PNP PowerTransistorsThese devices are designed for use in power amplifier and switchingcircuits; excellent safe area limits. Complement to NPN 2N5191,2N5192.http://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available* 4 AMPEREPOWER TRANSISTORSMAXIMUM RATINGS (Note 1)PNP SILICON

 8.1. Size:212K  motorola
 2n5194 2n5195.pdf pdf_icon

2N5195G

Order this documentMOTOROLAby 2N5194/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA2N51942N5195*Silicon PNP Power Transistors*Motorola Preferred Device. . . for use in power amplifier and switching circuits, excellent safe area limits.Complement to NPN 2N5191, 2N51924 AMPEREPOWER TRANSISTORS

 8.2. Size:206K  st
 2n5195.pdf pdf_icon

2N5195G

2N5195Low voltage PNP power transistorFeatures Low saturation voltage PNP transistorApplication Audio, power linear and switching equipment12Description3SOT-32The device is manufactured in planar technology with base island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. The Figure 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.