Справочник транзисторов. 2N5430X

 

Биполярный транзистор 2N5430X - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N5430X
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO-213AA

 Аналоги (замена) для 2N5430X

 

 

2N5430X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:11K  semelab
2n5430x.pdf

2N5430X

2N5430XDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 6.35 (0.250)Metal Package. 8.64 (0.340)3.68(0.145) rad.3.61 (0.142)max.4.08(0.161)rad.Bipolar NPN Device. 1 2VCEO = 100V IC = 7A All Semelab hermetically sealed products can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and JANS spec

 8.1. Size:132K  mospec
2n5427-29 2n5430.pdf

2N5430X
2N5430X

AAA

 8.2. Size:45K  inchange semiconductor
2n5430.pdf

2N5430X
2N5430X

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N5430 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 7A Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 7A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching and wide-band amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE

 9.1. Size:51K  vishay
2n5432 2n5433 2n5434.pdf

2N5430X
2N5430X

2N5432/5433/5434Vishay SiliconixN-Channel JFETsPRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)2N5432 4 to 10 5 10 2.52N5433 3 to 9 7 10 2.52N5434 1 to 4 10 10 2.5FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 2N5432

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top