Справочник транзисторов. 2N5780

 

Биполярный транзистор 2N5780 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5780
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 2N5780

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5780 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  njs
2n5780 2n5780 2n5777.pdfpdf_icon

2N5780

 9.2. Size:89K  central
2n5783 2n5786.pdfpdf_icon

2N5780

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.3. Size:149K  semelab
2n5786l.pdfpdf_icon

2N5780

SILICON NPN TRANSISTOR 2N5786L Low Saturation Voltage. High Gain At High Current. Hermetic TO5 (TO-205AA) Metal Package. Ideally suited for General Purpose Amplifier Applications. High Reliability and Space Screening Options Available. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 45V VCER RBE = 100 Collect

Другие транзисторы... 2N5667S , 2N5681SMD05 , 2N5682X , 2N5684G , 2N5686G , 2N5777 , 2N5778 , 2N5779 , 2N4401 , 2N5781XL , 2N5782L , 2N5784SMD , 2N5784SMD05 , 2N5785N1 , 2N5785SMD , 2N5785SMD05 , 2N5786L .

 

 
Back to Top

 


 
.