Биполярный транзистор 2N6039G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N6039G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Корпус транзистора: TO225AA
2N6039G Datasheet (PDF)
2n6039g.pdf
(PNP) 2N6034, 2N6035,2N6036; (NPN) 2N6038,2N6039Plastic DarlingtonComplementary Siliconhttp://onsemi.comPower TransistorsPlastic Darlington complementary silicon power transistors are4.0 AMPERES DARLINGTONdesigned for general purpose amplifier and low-speed switchingCOMPLEMENTARY SILICONapplications.POWER TRANSISTORSFeatures40, 60, 80 VOLTS, 40 WATTS ESD Ratings
2n6035 2n6036 2n6038 2n6039.pdf
Order this documentMOTOROLAby 2N6035/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA2N6030 thru 2N6031(See 2N5630)Plastic DarlingtonComplementary Silicon PowerPNPTransistors2N6035. . . designed for generalpurpose amplifier and lowspeed switching applications. High DC Current Gain 2N6036*hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 AdcNPN CollectorEmitter Sustaining Voltage @
2n6036 2n6039.pdf
2N60362N6039COMPLEMENTARY SILICONPOWER DARLINGTON TRANSISTORS 2N6036 IS A STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING GENERAL PURPOSE AMPLIFIER 123DESCRIPTION The 2N6036 and 2N6039 are complementarySOT-32silicon power Darlington transistors
2n6039.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2N6039 DESCRIPTION CollectorEmitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 80V(Min) High DC Current Gain- : hFE = 750(Min)@IC= 2A Complement to Type 2N6036 APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBO
2n6037 2n6038 2n6039.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6037 2N6038 2N6039 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2N6034/6035/6036 DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 Collector3 BaseAbsolute ma
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050