2N6284G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6284G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2N6284G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6284G даташит

 ..1. Size:135K  onsemi
 2n6284g 2n6284g 2n6287g.pdf pdf_icon

2N6284G

2N6284 (NPN); 2N6286, 2N6287 (PNP) Preferred Device Darlington Complementary Silicon Power Transistors These packages are designed for general-purpose amplifier and low-frequency switching applications. http //onsemi.com Features 20 AMPERE High DC Current Gain @ IC = 10 Adc - COMPLEMENTARY SILICON hFE = 2400 (Typ) - 2N6284 POWER TRANSISTORS = 4000 (Typ) - 2N6287 100 VOLTS, 1

 8.1. Size:214K  motorola
 2n6282 2n6283 2n6284 2n6285 2n6286 2n6287.pdf pdf_icon

2N6284G

Order this document MOTOROLA by 2N6282/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN 2N6282 Darlington Complementary thru Silicon Power Transistors . . . designed for general purpose amplifier and low frequency switching applica- 2N6284* tions. PNP High DC Current Gain @ IC = 10 Adc 2N6285 hFE = 2400 (Typ) 2N6282, 2N6283, 2N6284 hFE = 4000 (Typ) 2N6285, 2N6286, 2N6287

 8.2. Size:49K  st
 2n6284 2n6287.pdf pdf_icon

2N6284G

2N6284 2N6287 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 1 EQUIPMENT 2 DESCRIPTION The 2N6284 is a silicon epitaxial-base NPN TO-3 power transistor in monolithic Darlington configuration moun

 8.3. Size:118K  inchange semiconductor
 2n6282 2n6283 2n6284.pdf pdf_icon

2N6284G

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6282 2N6283 2N6284 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6285/6286/6287 High DC current gain DARLINGTON APPLICATIONS For use in general-purpose amplifier and low-frequency switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N6109G, 2N6111G, 2N6193ALCC4, 2N6193LCC4, 2N6235X, 2N6249T1, 2N6250T1, 2N6251T1, BD333, 2N6286G, 2N6287G, 2N6288G, 2N6292G, 2N6299SMD, 2N6299SMD05, 2N6301SMD, 2N6301SMD05