2B3440CSM4R - описание и поиск аналогов

 

2B3440CSM4R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2B3440CSM4R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: LCC3

 Аналоги (замена) для 2B3440CSM4R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2B3440CSM4R даташит

 ..1. Size:94K  semelab
 2b3440csm4r.pdf pdf_icon

2B3440CSM4R

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3439CSM4 / 2N3439CSM4R 2N3440CSM4 / 2N3440CSM4R High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package. Ideally suited for drivers in high-voltage low current inverters, switching and series regulators. Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) 2N3439 2N3440 Symbols Parame

Другие транзисторы: 2N6286G, 2N6287G, 2N6288G, 2N6292G, 2N6299SMD, 2N6299SMD05, 2N6301SMD, 2N6301SMD05, 2N5551, 2PA1576, 2PA1774, 2PA1774M, 2PA1774QM, 2PA1774RM, 2PA1774SM, 2PB1424, 2PB709AQW

 

 

 

 

↑ Back to Top
.