Биполярный транзистор 15C01M-TL-E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 15C01M-TL-E
Маркировка: YP
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 330 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для 15C01M-TL-E
15C01M-TL-E Datasheet (PDF)
15c01m.pdf
Ordering number : ENN750515C01MNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor15C01MLow-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplicationsPackage Dimensions Low-frequency Amplifier, muting circuit.unit : mm2059B[15C01M]Features Large current capacitance.0.30.153 Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance).0 to 0.1RCE (sat) typ.=0.58
15c01m.pdf
Ordering number : EN7505A15C01MBipolar Transistorhttp://onsemi.com( )15V, 0.7A, Low VCE sat NPN Single MCPApplications Low-frequency Amplifier, muting circuitFeatures Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE (sat) typ.=0.58 [IC=0.7A, IB=35mA] Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products Smal
15c01ss.pdf
Ordering number : ENN750815C01SSNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor15C01SSLow-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplicationsPackage Dimensions Low-frequency Amplifier, muting circuit.unit : mm2159A[15C01SS]FeaturesTop View Side View Large current capacitance.1.4 Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance).0.10.25RCE (s
15c01c.pdf
Ordering number : ENN750415C01CNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor15C01CLow-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplicationsPackage Dimensions Low-frequency Amplifier, muting circuit.unit : mm2018B[15C01C]Features Large current capacitance.0.40.163 Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance).RCE (sat) typ.=0.58 [IC=0.7A
15c01ss.pdf
Ordering number : EN7508A15C01SSBipolar Transistorhttp://onsemi.com( )15V, 0.6A, Low VCE sat NPN Single SSFPApplications Low-frequency Amplifier, muting circuitFeatures Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) : RCE(sat) typ=0.58 [IC=0.7A, IB=35mA] Ultrasmall, slim flat-lead package (1.4mm0.8mm0.6mm) Small ON
15c01c.pdf
Ordering number : EN7504A15C01CBipolar Transistorhttp://onsemi.com( )15V, 0.7A, Low VCE sat NPN Single CPApplications Low-frequency Amplifier, muting circuitFeatures Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE (sat) typ.=0.58 [IC=0.7A, IB=35mA] Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products Small
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050