Биполярный транзистор 15GN01MA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 15GN01MA
Маркировка: ZA
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT323
15GN01MA Datasheet (PDF)
15gn01ma 15gn01ma 15gn01ma 15gn01ma.pdf
Ordering number : ENA1100A15GN01MARF Transistorhttp://onsemi.com8V, 50mA, fT=1.5GHz, NPN Single MCPFeatures Small ON-resistance [Ron=2 (IB=3mA)] Small output capacitance [Cob=1.1pF (VCB=10V)]SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 15 VCollector-to-Emitter Voltage VCEO 8 VEmitter
15gn01ca.pdf
Ordering number : ENA1098 15GN01CASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorVHF to UHF Band High-Frequency Switching,15GN01CAHigh-Frequency General-Purpose Amplifier ApplicationsFeatures Small ON-resistance [Ron=2 (IB=3mA)]. Small output capacitance [Cob=1.2pF (VCB=10V)].SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol
15gn01ca.pdf
Ordering number : ENA1098A15GN01CARF Transistorhttp://onsemi.com8V, 50mA, fT=1.5GHz, NPN Single CPFeatures Small ON-resistance [Ron=2 (IB=3mA)] Small output capacitance [Cob=1.2pF (VCB=10V)]SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 15 VCollector-to-Emitter Voltage VCEO 8 VEmitter-
15gn03ca 15gn03ca 15gn03ca 15gn03ca.pdf
Ordering number : ENA1106A15GN03CARF Transistorhttp://onsemi.com10V, 70mA, fT=1.5GHz, NPN Single CPApplications VHF, RF, MIXER, OSC, IF amplifierFeatures High cutoff frequency : fT=1.5GHz typ High gain : S21e =13dB typ (f=0.4GHz) 2SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 2
15gn03ma 15gn03ma 15gn03ma 15gn03ma.pdf
Ordering number : ENA1108A15GN03MARF Transistorhttp://onsemi.com10V, 70mA, fT=1.5GHz, NPN Single MCPApplications VHF, RF, MIXER, OSC, IF amplifierFeatures High cut-off frequency : fT=1.5GHz typ High gain : S21e =13dB typ (f=0.4GHz) 2 Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slimSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CPa
15gn03fa 15gn03fa 15gn03fa 15gn03fa.pdf
Ordering number : ENA1107A15GN03FARF Transistorhttp://onsemi.com10V, 70mA, fT=1.5GHz, NPN Single SSFPApplications VHF, RF, MIXER, OSC, IF amplifierFeatures High cutoff frequency : fT=1.5GHz typ High gain : S21e =14dB typ (f=0.4GHz) 2 Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Max
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050