Справочник транзисторов. 1DI75E-100

 

Биполярный транзистор 1DI75E-100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 1DI75E-100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: M206

 Аналоги (замена) для 1DI75E-100

 

 

1DI75E-100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  fuji
1di75e-100.pdf

1DI75E-100
1DI75E-100

 7.1. Size:144K  fuji
1di75e-055.pdf

1DI75E-100
1DI75E-100

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.1. Size:123K  fuji
1di75f-100.pdf

1DI75E-100
1DI75E-100

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.2. Size:179K  fuji
1di75f-055.pdf

1DI75E-100
1DI75E-100

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top