30A02MH-TL-E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 30A02MH-TL-E  📄📄 

Маркировка: AL

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 520 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для 30A02MH-TL-E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

30A02MH-TL-E даташит

 7.1. Size:47K  sanyo
 30a02mh.pdf pdf_icon

30A02MH-TL-E

Ordering number ENN7359 30A02MH PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 30A02MH Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions Low-frequency Amplifier, high-speed switching, unit mm small motor drive. 2194A [30A02MH] 0.3 Features 0.15 Large current capacitance. 3 Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance). RC

 7.2. Size:371K  onsemi
 30a02mh.pdf pdf_icon

30A02MH-TL-E

Ordering number EN7359A 30A02MH Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 30V, 0.7A, Low VCE sat PNP Single MCPH3 Applications Low-frequency Amplifier, high-speed switching small motor drive Features Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE(sat) typ=580m [IC=0.7A, IB=35mA] Small ON-resistance (Ron) Specificatio

 7.3. Size:273K  onsemi
 30a02mh 30a02mh 30a02mh 30a02mh.pdf pdf_icon

30A02MH-TL-E

Ordering number EN7359A 30A02MH Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 30V, 0.7A, Low VCE sat PNP Single MCPH3 Applications Low-frequency Amplifier, high-speed switching small motor drive Features Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE(sat) typ=580m [IC=0.7A, IB=35mA] Small ON-resistance (Ron) Specificatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 1DI50K-055, 1DI50MA-050, 1DI75E-055, 1DI75E-100, 1DI75F-055, 1DI75F-100, 1SC1383, 30A02CH-TL-E, 2N3055, 30A02MH-TL-H, 30C02CH-TL-E, 30C02MH-TL-E, 30C02MH-TL-H, 4N1815PGP, 4N772GP, 4SCG110, 4SCG120K