30C02CH-TL-E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 30C02CH-TL-E  📄📄 

Маркировка: CL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 540 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для 30C02CH-TL-E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

30C02CH-TL-E даташит

 7.1. Size:47K  sanyo
 30c02ch.pdf pdf_icon

30C02CH-TL-E

Ordering number ENN7363 30C02CH NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 30C02CH Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions Low-frequency Amplifier, high-speed switching, unit mm small motor drive. 2150A [30C02CH] Features 2.9 Large current capacitance. 0.15 0.4 Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance).

 7.2. Size:461K  onsemi
 30c02ch.pdf pdf_icon

30C02CH-TL-E

Ordering number EN7363A 30C02CH Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 30V, 0.7A, Low VCE sat NPN Single CPH3 Applications Low-frequency Amplifier, high-speed switching, small motor drive Features Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE(sat) typ.=330m [IC=0.7A, IB=35mA] Ultrasmall package facilitates miniaturizatio

 9.1. Size:29K  sanyo
 30c02s.pdf pdf_icon

30C02CH-TL-E

Ordering number ENN7365 30C02S NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 30C02S Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions Low-frequency Amplifier, high-speed switching, unit mm small motor drive. 2106A [30C02S] Features 0.75 0.3 Large current capacitance. 0.6 3 Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance).

 9.2. Size:273K  onsemi
 30c02mh 30c02mh 30c02mh 30c02mh.pdf pdf_icon

30C02CH-TL-E

Ordering number EN7364B 30C02MH Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) 30V, 0.7A, Low VCE sat NPN Single MCPH3 Applications Low-frequency Amplifier, high-speed switching, small motor drive Features Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance)) RCE(sat) typ=330m [IC=0.7A, IB=35mA] Ultrasmall package facilitates miniaturizat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 1DI75E-055, 1DI75E-100, 1DI75F-055, 1DI75F-100, 1SC1383, 30A02CH-TL-E, 30A02MH-TL-E, 30A02MH-TL-H, TIP41, 30C02MH-TL-E, 30C02MH-TL-H, 4N1815PGP, 4N772GP, 4SCG110, 4SCG120K, 4SCG160, 4SCG5714