Справочник транзисторов. 4SCG5714

 

Биполярный транзистор 4SCG5714 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 4SCG5714
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: DIP14A
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

4SCG5714 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  china
 4scg5714.pdf pdf_icon

4SCG5714

4SCG5714 PNP A B C PCM Ta=25 3004 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 35 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 45 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.2 A IEBO VEB=2V 0.1 A

Другие транзисторы... 30C02CH-TL-E , 30C02MH-TL-E , 30C02MH-TL-H , 4N1815PGP , 4N772GP , 4SCG110 , 4SCG120K , 4SCG160 , 2SD718 , 4SDG110 , 4SDG110K , 50A02CH-TL-E , 50A02CH-TL-H , 50A02MH-TL-E , 50A02SS-TL-E , 50C02CH-TL-E , 50C02MH-TL-E .

History: 2SB919Q | BC857BR | 2SC4287

 

 
Back to Top

 


 
.