4SCG5714. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 4SCG5714

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: DIP14A

 Аналоги (замена) для 4SCG5714

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

4SCG5714 даташит

 ..1. Size:243K  china
 4scg5714.pdf pdf_icon

4SCG5714

4SCG5714 PNP A B C PCM Ta=25 300 4 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 35 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 45 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.2 A IEBO VEB=2V 0.1 A

Другие транзисторы: 30C02CH-TL-E, 30C02MH-TL-E, 30C02MH-TL-H, 4N1815PGP, 4N772GP, 4SCG110, 4SCG120K, 4SCG160, BD140, 4SDG110, 4SDG110K, 50A02CH-TL-E, 50A02CH-TL-H, 50A02MH-TL-E, 50A02SS-TL-E, 50C02CH-TL-E, 50C02MH-TL-E