4SDG110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 4SDG110  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: DIP14A

 Аналоги (замена) для 4SDG110

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

4SDG110 даташит

 ..1. Size:138K  china
 4sdg110.pdf pdf_icon

4SDG110

4SDG110 NPN A B C PCM Ta=25 300 4 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 35 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 45 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.01 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=2V 0.1 A

 0.1. Size:229K  china
 4sdg110k.pdf pdf_icon

4SDG110

Другие транзисторы: 30C02MH-TL-E, 30C02MH-TL-H, 4N1815PGP, 4N772GP, 4SCG110, 4SCG120K, 4SCG160, 4SCG5714, TIP3055, 4SDG110K, 50A02CH-TL-E, 50A02CH-TL-H, 50A02MH-TL-E, 50A02SS-TL-E, 50C02CH-TL-E, 50C02MH-TL-E, 50C02SS-TL-E