Биполярный транзистор 55GN01MA-TL-E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 55GN01MA-TL-E
Маркировка: ZD
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-323
Аналоги (замена) для 55GN01MA-TL-E
55GN01MA-TL-E Datasheet (PDF)
55gn01ma 55gn01ma.pdf
Ordering number : ENA1114A55GN01MARF Transistorhttp://onsemi.com10V, 70mA, fT=5.5GHz, NPN Single MCPFeatures High cut-off frequency : fT=5.5GHz typ High gain : S21e =10dB typ (f=1GHz) 2SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 20 VCollector-to-Emitter Voltage VCEO 10 VEmitter-
55gn01ca.pdf
Ordering number : ENA1111 55GN01CASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorUHF Wide-band Low-noise55GN01CAAmplifier ApplicationsFeatures High cutoff frequency : fT= 5.5GHz typ. High gain : S21e2=9.5dB typ (f=1GHz).SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage V
55gn01fa.pdf
55GN01FAOrdering number : ENA1113ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorUHF Wide-band Low-noise55GN01FAAmplifier ApplicationsFeatures High cut-off frequency : fT=5.5GHz typ High gain : S21e =11dB typ (f=1GHz) 2 =19dB typ (f=400MHz) Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim Halogen free compliance
55gn01ca-tb-e.pdf
Ordering number : ENA1111A55GN01CARF Transistorhttp://onsemi.com10V, 70mA, fT=5.5GHz, NPN Single CPFeatures High cutoff frequency : fT=5.5GHz typ High gain : S21e =9.5dB typ (f=1GHz) 2SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 20 VCollector-to-Emitter Voltage VCEO 10 VEmitter-t
55gn01fa.pdf
DATA SHEETwww.onsemi.comRF Transistor3110 V, 70 mA, fT = 5.5 GHz, NPN Single SSFP2SOT-623 / SSFP55GN01FACASE 631ACFeatures High Cut-off Frequency: fT = 5.5 GHz TypMARKING DIAGRAM High Gain: S21e2 = 11 dB Typ (f = 1 GHz)S21e2 = 19 dB Typ (f = 400 MHz) Ultrasmall Package Permitting Applied Sets to be Small and SlimZD This Device is Pb-Free
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050