9012S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 9012S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 64

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 9012S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

9012S даташит

 ..1. Size:552K  jiangsu
9012s.pdfpdf_icon

9012S

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD T TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 9012S TRANSISTOR (PNP) FEATURES 1. EMITTER Complementary to 9013S 2. COLLECTOR Excellent hFE linearity 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO -40 V Collector-Base Voltage VCEO -25 V Collector-Emitter Voltage V

 0.1. Size:353K  kec
ktc9012s.pdfpdf_icon

9012S

SEMICONDUCTOR KTC9012S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS _ Excellent hFE Linearity. + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 Complementary to KTC9013S. C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 K 0.00 0.10 Q MAXIMUM RATING (Ta=25 )

 0.2. Size:613K  kec
ktc9012sc.pdfpdf_icon

9012S

SEMICONDUCTOR KTC9012SC TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES Excellent hFE Linearity. Complementary to KTC9013SC. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO -40 V Collector-Base Voltage VCEO -30 V Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -500 mA

 0.3. Size:75K  lrc
l9012plt1g l9012qlt1g l9012rlt1g l9012slt1g.pdfpdf_icon

9012S

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L9012PLT1G FEATURE Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-L9012PLT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. Series DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking

Другие транзисторы: 8050C, 8050SS, 8050SS-C, 8050SS-D, 8550C, 8550SS, 8550SS-C, 8550SS-D, BC558, 9013S, B511, B562, B564A, B624, B631K, B709AR, B722