Биполярный транзистор 9013S Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 9013S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 64
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
9013S Datasheet (PDF)
9013s.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 9013S TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES Complementary to 9012S 1. EMITTER Excellent hFE linearity 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. BASESymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO
ktc9013sc.pdf

SEMICONDUCTOR KTC9013SCTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURESExcellent hFE Linearity.Complementary to KTC9012SC.DIM MILLIMETERS_+A 2.90 0.123B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX1D 0.40+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20G 1.90MAXIMUM RATING (Ta=25)J 0.10K 0.00 ~ 0.10CHARACTERISTIC SYMBO
ktc9013s.pdf

SEMICONDUCTOR KTC9013STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERS_+Excellent hFE Linearity. A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15Complementary to KTC9012S.C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90H 0.95J 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10QMAXIMUM RATING (Ta=25)L
9013plt1 9013qlt1 9013rlt1 9013slt1.pdf

FM120-M WILLASTHRU9013xLT1General Purpose TransistorsFM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductNPN Silicon Package outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offersFEATURE better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123HWe declare that the material of product complianc
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: DTA013ZM | Q-00369C | KT8143M | KSC900G | BF883 | BU326A-6 | GD160C
History: DTA013ZM | Q-00369C | KT8143M | KSC900G | BF883 | BU326A-6 | GD160C



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m