Справочник транзисторов. B624

 

Биполярный транзистор B624 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: B624
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для B624

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

B624 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  gsme
b624.pdfpdf_icon

B624

 0.1. Size:256K  nec
2sb624.pdfpdf_icon

B624

 0.2. Size:422K  secos
2sb624.pdfpdf_icon

B624

2SB624 -0.7A , -30V PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES High DC Current Gain. hFE200 (Typ.) (VCE= -1V, IC= -100mA) A Complimentary to 2SD596 L33Top View C BMARKING 11 2Product-Rank 2SB624-BV1 2SB624-BV2 2SB624-BV3 2K ERan

 0.3. Size:644K  jiangsu
2sb624.pdfpdf_icon

B624

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SB624 TRANSISTOR (PNP)FEATURES1.BASE High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA)2.EMITTER3.COLLECTOR Complimentary to 2SD596.MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -30 V VCEO Collector-Emitter Volt

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: MJE5170 | TIP645 | SUR540EF | BC135 | ASZ10 | MJE5851G

 

 
Back to Top

 


 
.