BC807-25WT1G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BC807-25WT1G
Маркировка: 5B
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.46 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160
Корпус транзистора: SC-70
Аналоги (замена) для BC807-25WT1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BC807-25WT1G даташит
bc807-25wt1g bc807-40wt1g.pdf
BC807-25W, BC807-40W General Purpose Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and COLLECTOR PPAP Capable 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE 2 MAXIMUM RATINGS EMITTER Rating Symbol Value Unit Coll
sbc807-25wt1g.pdf
BC807-25W, BC807-40W General Purpose Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and COLLECTOR PPAP Capable 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE 2 MAXIMUM RATINGS EMITTER Rating Symbol Value Unit Coll
lbc807-25wt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon FEATURE LBC807-25WT1G S-LBC807-25WT1G Collector current capability IC = -500 mA. Collector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. General purpose switching and amplification. PNP complement LBC807 Series. 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other
lbc807-25wt1g lbc807-25wt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon FEATURE LBC807-25WT1G S-LBC807-25WT1G Collector current capability IC = -500 mA. Collector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. General purpose switching and amplification. PNP complement LBC807 Series. 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other
Другие транзисторы: BC69-25PAS, BC69PA, BC69PAS, BC807-16LT1G, BC807-16LT3G, BC807-25LT1G, BC807-25LT3G, BC807-25QA, 2SC2383, BC807-40LT1G, BC807-40LT3G, BC807-40QA, BC807-40WT1G, BC808-25LT1G, BC808-40LT1G, BC808W, BC817-16-G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690




